伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的研究人员开发了一种由金刚石制成的半导体器件，与之前报道的金刚石器件相比，该器件具有最高的击穿电压和最低的漏电流。

　　据估计，目前全球50%的电力是由电力设备控制的，预计不到十年，这一数字将增加到80%，同时， 2050年电力需求将增加50%。

　　“为了满足这些电力需求并使电网现代化，我们必须从传统材料例如硅转向我们今天所采用的新材料例如碳化硅和下一代半导体超宽带隙领导这项研究的电气和计算机工程教授 Can Bayram 以及研究生 Zhuoran Han 说道。这项工作的结果发表在《IEEE Electron Device Letters》杂志上。

　　在这项工作中，Bayram 和 Han 展示了他们的金刚石装置上图测量尺寸为 4 mm x 4 mm可以承受大约 5 kV 的高电压，尽管电压受到测量设置的限制，而不是来自装置本身。理论上，该装置可承受高达 9 kV 的电压。这是金刚石装置报告的最高电压。除了最高的击穿电压外，该器件还表现出最低的漏电流，这会影响器件的整体效率和可靠性。

　　Han 说：“我们构建了一种更适合未来电网和其他电力应用的高功率、高电压应用的电子设备。我们在超宽带隙材料合成金刚石上构建了该设备，与当前一代设备相比，它具有更高的效率和更好的性能。希望我们能够继续优化该设备和其他配置，以便我们能够接近金刚石材料潜力的性能极限。”

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